日前,日本Dowa电子公司宣布已经开发出1300 nm波段的近红外芯片。

Dowa表示,该新型芯片尺寸输出功率为6.8 mW,其可应用于中心波长为1300
nm波段的近红外LED。

中国也应发展近红外发射器芯片技术。